ИНМЭ РАН
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук
Об институте
Исследования и разработки
Установка КУТГИ
Национальные проекты
Новости
Противодействие коррупции
Контакты
На главную
Об институте
Публикации
Об институте
Руководство
Учёный совет
Публикации
Нормативные документы
KINETICS OF THE FORMATION AND DOPING OF SILICON NANOCRYSTALS
11.11.2020
Bulyarskiy S.V., Svetukhin V.V.
Journal of Nanoparticle Research
. 2020. Т. 22. № 12. С. 361.
Возврат к списку