МЕТОД ВОССТАНОВЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО ПРОФИЛЯ ПОВЕРХНОСТЕЙ, ПОКРЫТЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМ СЛОЕМ

Божьев И.В., Трифонов А.С., Преснов Д.Е., Дагесян С.А., Дорофеев А.А., Циняйкин И.И., Крупенин В.А.

Вестник Московского университета. Серия 3: Физика. Астрономия. 2020. № 1. С. 42-47.

Предложен метод усиления сигнала для режима сканирующего зондового микроскопа, при котором одновременно с топографией измеряется распределение поверхностного потенциала образцас помощью локального зонда на основе полевого транзистора с каналом-нанопроводом. Применение метода особенно актуально при исследовании электрического потенциала поверхности в случае, когда она закрыта слоем диэлектрика, сильно ослабляющим электрическое поле детектируемых электрических зарядов. Метод заключается в нанесении поверх диэлектрического слоя тонкойпленки хрома ( R > 10 кОм, толщина ~ 7 нм), состоящей из небольших проводящих гранул, разделенных туннельными барьерами. На примере изготовленных тестовых структур экспериментальнопоказано, что можно восстановить сигнал, ослабленный диэлектрическим слоем, на 70-80%. Проведенные оценки показали, что порог чувствительности транзисторов, интегрированных на зонд сканирующего зондового микроскопа, лежит в пределах 2-5 мВ в единичной полосе частот на частоте 100 Гц.