ИНМЭ РАН
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук
Об институте
Исследования и разработки
Установка КУТГИ
Национальные проекты
Новости
Противодействие коррупции
Контакты
На главную
Об институте
Публикации
Об институте
Руководство
Учёный совет
Публикации
Нормативные документы
NONLINEARITY OF VOLT–AMPERE CHARACTERISTICS OF HOMOGENEOUS COMPENSATED DETECTOR GAAS STRUCTURES
11.11.2019
Prudaev I.A., Verkholetov M.G.
Technical Physics Letters
. 2019. Т. 45. № 6. С. 566-569.
Возврат к списку