В 2010 году Институт впервые принял участие в международной выставке

Со 2 по 6 марта на выставке CeBIT-2010 на совместном с НТЦ МИЭТ стенде демонстрировались возможности Института по контролю конструктивных, технологических и функциональных характеристик современных СБИС, в частности, по создания образцов и проведению структурного и вещественного анализа кристалла СБИС с использованием установки Nova 600 NanoLab фирмы FEI; по контактному микрозондовому тестированию.

Для контроля электрических параметров как активных, так и пассивных структур СБИС применена установка на основе FIB и интегрированного в рабочую вакуумную камеру прецизионного механического стола с четырьмя электрическими зондами.