Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН принял участие на выставке CeBIT, которая проходила в г. Ганновер (Германия) с 1 по 5 марта 2011 г.
Доклады "Реконструкция и ремонт кристаллов сбис выполненных по микронной и субмикронной технологии" и "Исследование поверхностных явлений сбис методом сканирующей зондовой микроскопии" были представлены на общем стенде МИНОБРНАУКи.
В первой работе показана методика восстановления работоспособности интегральных схем с использованием остросфокусированной ионной микроскопии с применением различных газовых инжекторов.
Вторая работа направлена на разработку неразрушающих методов сверхлокального контроля электрического потенциала функциональных областей микросхем через изолирующие диэлектрические слои, основанных на проведении измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа с пространственным разрешением до 10 нм.